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　　：本发觉涉及一种熔融石英玻璃及其创制设施，所述熔融石英玻璃的紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高、Cu等金属杂质的扩散速率小。本发觉的熔融石英玻璃可能用作百般光学原料、半导体创制用部件、液晶创制用部件、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems,樣￡电子刻板编制)创制用部件、液晶用玻璃基板等。越发适适用作正在半导体热处罚工序或CVD工序中操纵的芯管(corepipe)。

　　：正在百般光学原料、半导体创制用部件、液晶创制用部件、MEMS创制用部件、液晶用玻璃基板等用处中，愿望紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高的石英玻璃。其它，正在半导体、液晶或MEMS创制周围中，石英玻璃制的检视区(viewpoint)众用于蚀刻的尽头检测等中，愿望从紫外区域至可睹区域、红外区域都具有优良的光透过性且能以低本钱创制的石英玻璃。其余，近年来正在半导体热处罚工序中，存正在Cu导致的污染题目。该题目是从热处罚用石英管(芯管)外部的加热器等出现的Cu正在热处罚用石英管内扩散，而污染安设正在石英管内部的晶圆，是以愿望铜等金属杂质扩散系数小的石英玻璃。平时，石英玻璃大致分为熔融石英玻璃和合成石英玻璃。熔融石英玻璃通过将动作原料的硅石粉末正在氩氧火焰、等离子弧、真空电炉等中熔融而创制，与下述合成石英玻璃比拟，具有创制本钱低廉的所长。此中，操纵自然硅石粉末末动作二氧化硅原料，通过等离子弧或真空电熔融等不会增进OH基量的熔融设施而创制的石英玻璃，其高温粘性高，耐热性优异，是以正在半导体热处罚工序或CVD工序中平常操纵。然而，操纵自然硅石原料的熔融石英玻璃含有O.l~0.5ppm旁边的半导体创制中需规避的Li、K、Na、Ca元素等，无法正在哀求高纯度的用处(比方，晶圆的高温退火等)中操纵。另夕卜，因为平时正在紫外区域(200nm~240nm)中具有罗致带，是以动作紫外线用光学原料(比方，尽头检测用窗口原料(windowmaterials)等)性格也亏折。其余，存正在Cu等金属杂质的扩散速率很速如许的题目。是以，关于哀求高纯度的用处，已知有操纵无定形高纯度合成硅石粉末动作二氧化硅原料的设施(比方，参考专利文献1、艺制备，是以，正在由无定形合成硅石粉末创制的石英玻璃中，残留着数十ppm旁边的OH基。石英玻璃中的残留OH基不但会惹起红外区域的光学罗致，另有能够使高温粘性恶化，进而增进Cu等金属杂质的扩散。是以，已知有将动作原料的无定形合成硅石粉末预先结晶来消重OH基的设施(比方，参考专利文献3、4)。然而，专利文献3的设施中杂质含量的消重不足充实，愿望能进一步消重。另夕卜，专利文献3中公然的熔融设施因为正在强还原氛围下举行玻璃化，是以有能够正在245nm邻近显现推定是因为缺乏氧所惹起的罗致峰。其余，专利文献4中既没相合于玻璃化时的气氛的记录，也没相合于获取何种石英玻璃的任何记录或开发。另一方面，合成石英玻璃通过将高度纯化的四氯化硅等挥发性的二氧化硅原料正在氢氧火焰等之下举行高温水解而创制，4具有纯度非凡高的所长。然而，已知合成石英玻璃平时正在高温区域的粘度系数较低。动作适合于哀求耐热性用处的合成石英玻璃的创制设施，已知有将挥发性二氧化硅原料加热水解，使由此天生的二氧化硅微粉积聚成的众孔石英玻璃体(烟尘体，soot-body)中含有Al,对其举行加热、烧结从而制成透后玻璃体的设施(比方，参考专利文献5),或者正在还原氛围中对烟尘体举行加热处罚，消重OH量，然后对其举行加热、烧结，从而制成透后玻璃体的设施(比方，参考专利文献6)。然而，全面设施的工艺均较为繁复，是以所得玻璃非凡高贵。其余，专利文献5中记录的合成石英玻璃正在创制流程中没有消重OH量的工序，是以有能够惹起红外区域的光学罗致，消重高温粘性，进而增进Cu等金属杂质的扩散。其它，专利文献6中记录的设施中，消重了OH基量的石英玻璃中有能够出现氧缺乏缺陷，正在245nm邻近显现罗致峰。专利文献1专利文献2专利文献3专利文献4专利文献5专利文献6日本特开平7-81971号公报(第3页)曰本净争开2006—8452号/才艮(第l页)日本特开平8-119664号公报(第2页)曰本净争开平4_238808号/才艮(第2页)日本特开平3-83833号公报(权益哀求书)日本特开平3-109223号公报(第l页)发觉实质发觉要处理的题目本发觉的宗旨正在于取胜上述题目，便宜地供应一种石英玻璃，其适适用于诈骗紫外线、可睹光、红外线的百般光学原料、半导体创制用部件、液晶创制用部件、MEMS创制用部件、液晶用玻璃基板中，紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高，Cu离子等金属杂质的扩散慢。本发觉人等为处理上述题目举行了细心的探究，结果发掘一种石英玻璃，其关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为95%以上、更优选为98%以上，且OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏折0.1ppm、优选为0.05ppm以下，该玻璃正在1215。C下的粘度系数显示为10115Pas以上，其余，含有以重量比计为3ppm以下的Al，由此粘度系数为10^Pa.s以上，其它，1050。C下正在大气中安置24小时常的铜离子的热扩散中，正在距外面深度为20iimlOOjim的区域中的Cu离子的扩散系数为lxlOVm秒以下，从而能处理上述课题。其它发掘，该石英玻璃通过将原料硅石粉末预先方英石化后，正在非还原性氛围中举行熔融，更优选通过等离子弧法举行熔融而能正在工业上利便地创制。基于这些明白而结束了本发觉。用于处理题目的设施

　　：本发觉一方面供应一种熔融石英玻璃，其特点正在于，关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为95%以上，优选为98%以上，且0H含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏折0.1ppm，优选为0.05ppm以下。其余，本发觉供应一种熔融石英玻璃，其特点正在于，除了具有上述性格以外，其1215。C下的粘度系数为1()Hspa.s以上，异常优选含有以重量比计为3ppm以下的A1,1215°C下的粘度系数为10Gpa.s以上。其余，本发觉供应一种熔融石英玻璃，其特点正在于，除了具有上述性格以外，1050。C下正在大气中安置24小时常的铜离子的热扩散中，从距外面的深度领先20pm起至100iLmi的区域中的Cu离子扩散系数为1x10—cm々秒以下。本发觉的另一方面是供应一种上述熔融石英玻璃的创制设施，其特点正在于，将原料硅石粉末方英石化后，正在非还原性氛围中熔融。发觉的成效本发觉的熔融石英玻璃，因为正在紫外~可睹~红外区域根本没有特异性罗致，是以可能优选用作愿望高透射率的百般光学原料，越发是蚀刻尽头检测等的窗口原料。其余，本发觉的熔融石英玻璃因为高纯度，高温粘性优异，Cu等金属杂质的扩散速率慢，是以还可能优选用作半导体热处罚/创制用炉材、夹具等半导体创制安装用部件或MEMS创制安装用夹具等，还优选用作紫外线用透镜和灯、液晶用玻璃基板等。依据本发觉的创制设施，也许便宜地获取具有上述性格的炫融石英3皮璃。图l是显示各实践例和对比例中获取的石英玻璃相关于波长的直线中获取的石英玻璃深度倾向的Cu离子浓度散布的图。图3是显示关于实践例3和对比例4中获取的石英玻璃，正在厚度倾向上至更深部门测定Cu离子浓度散布的结果的图。完全实践例格式以下对本发觉举行周密阐发。本发觉的熔融石英玻璃关于波长245nm的紫外光，正在10mm试样厚度内，显示出95%以上、更优选为98%以上的内透过率。本发觉中所谓的内透过率，是指除去玻璃外面的反射、罗致和散射的影响，换算成10mm试样厚度的透射率。可能以为内透7过率抵达如斯高的值等同于石英玻璃中氧缺乏缺陷的变成已被制止。其余，熔融石英玻璃的OH含量为5ppm以下，优选为2ppm以下。通过明显消重OH含量，能避免高温下的粘性消重而不制止红外区域的特异性罗致，其余，还能制止Cu离子的扩散。是以，适合正在半导体热处罚用夹具等中操纵。本发觉中所谓的OH含量，是指由波长2730nm的罗致峰强度算出的、玻璃中所含的OH量。OH量的检测极限为lppm。其余，正在本发觉的熔融石英玻璃中，遵从金属计(重量比)，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏折0.1ppm，优选各自为0.05ppm以下，更优选各自为0.01ppm以下。通过消重这些元素的含量，从而能保留紫外辉煌的透射率高，其余，可能更适适用作需避免杂质混入的半导体创制安装用部件中。其它，本发觉熔融石英玻璃中金属因素的含量通过ICP发射光谱法测定，其检测极限为0.01ppm。本发觉的熔融石英玻璃具有高耐热性，完全地说，1215°C下的粘度系数优选为10spa.s以上，平时正在10115~10^Gpas的界限内。本发觉的熔融石英玻璃因为其粘性进步，是以可能含有铝(Al)。A1的含量以金属A1(重量比)计，优选为0.13ppm,更优选为0.2~2ppm。含有Al的熔融石英玻璃正在1215。C下的粘度系数显示为10Gpa.s以上，更完全地说，显示为1012。~10125Pas的高粘性。其余，本发觉熔融石英玻璃杂质的扩散速率慢，比方，1050。C下正在大气中安置24小时常的铜离子的热扩散中，从距外面的深度领先20jim起至lOO(im的区域中的Cu离子扩散系数优选为1x10_1Vm2/秒以下，更优选为3.5x10—11cm2/秒以下。8具有上述性格的本发觉熔融石英玻璃纵然正在热加工或应力去除(退火)时，Cu、Na等金属杂质也不会从玻璃外面沿其厚度倾向扩散到深处。其余，正在用作半导体创制中的热处罚工序或CVD工序的芯管时，具有能制止来自系统外的Cu等金属杂质的透过、扩散，削减对存正在于芯管内部的晶圆的污染的所长。以下，对本发觉熔融石英玻璃的创制设施举行周密描画。本发觉的熔融石英玻璃可能通过将原料硅石粉末预先方英石化后正在非还原性氛围中熔融而创制。动作原料硅石粉末，可能操纵比方无定形硅石粉末。优选操纵Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为0.05ppm以下，更优选为0.01ppm以下的高纯度无定形石圭石粉末。由此，可能获取正在半导体创制等中操纵的高纯度的石英玻璃，还能保留紫外区域的透射率较高。动作如许的无定形硅石，可能操纵比方正在盐酸或氨催化下水解硅醇盐而获取二氧化硅凝胶，将其干燥并烧成而获取的高纯度无定形硅石；和将由碱金属硅酸盐水溶液和酸响应获取的二氧化硅凝胶纯化、烧成而获取的高纯度无定形硅石等。此中，由硅醇盐制备的高纯度无定形硅石容易获取高纯度的产物，是以是异常优选的。动作将原料硅石粉末预先方英石化的设施，可能枚举百般设施。比方，正在不出现污染的妥善境况下，对高纯度的无定形硅石粉末正在高温下永久间烧成，从而能获取高纯度的方英石粉末。其余，通过进步烧成工序的处罚量和通过永久间烧成以消重来自烧成炉等的杂质污染，是以正在原料硅石粉末中增添结晶化增进剂举行烧成也口角常有用的。动作结晶化增进剂，优选比方方英石或氧化铝的微粉等。结晶化增进剂可能独自操纵l种，也可能将2种以上搀和操纵。方英石可能正在须要避免玻璃中存正在A1的用处中操纵。其增添量相关于无定形石圭石，优选为O.l~IO重量％。另一方面，氧化铝以金属铝计，增添约0.1ppm以上即可看到结晶化增进成效，同时还能看到石英玻璃的耐热性获得进步。Al正在半导体创制中的氟类干法冲洗工序中，会天生氟化物的颗粒，是以优选将该增添量局限为较低。已知增添氧化铝所带来的耐热性进步成效以金属A1计正在23ppm旁边即显现饱和目标，是以正在避免天生颗粒的用处中，Al增添量优选为O.l~3ppm，更优选为0.2~2ppm。烧成温度优选为1200~1700°C,烧成期间优选为1~IOO小时。烧成优选正在真空中或正在氮气、氩气、氦气或氧气的氛围中举行。正在通过上述设施将原料粉末方英石化后举行烧成，平时能消重原料硅石粉末中所含的OH基量，然后，正在非还原性氛围中熔融，从而能工业化地获取本发觉的熔融石英玻璃。其它，原料硅石粉末方英石化的比例(结晶率)优选根本上为100%,平时，起码70%以上方英石化即可。方英石的转化比例可能通过比方X射线衍射法确定。更周密地说，比方可能由显示无定形硅石存正在的宽的暈(halo)图案和显示方英石存正在的陡峰的面积比来阴谋。接着将方英石化的粉末熔融。为了制止氧气缺乏缺陷的出现，熔融正在非还原性氛围中举行。正在还原性氛围中熔融的话，则会出现氧气缺乏缺陷，容易正在245nm邻近出现罗致峰，是以是不优选的。动作非还原性氛围，可能4吏用比方He、N2、Ar、02氛围等。其余，动作熔融设施，为了不使已被消重的OH基量增进，务必正在加热源中不操纵火焰，优选比方电熔融法或等离子弧熔融法等。越发是等离子弧熔融法无需操纵容器就能创制坯料，是以正在没有来自容器污染的看法上看，其是优选的。正在所得玻璃中的气泡成为题目的环境下，可能通过热等静压(HIP)处罚统统除去气泡。通过该HIP处罚会正在玻璃中出现双折射(应变)，〗旦可能举行1200。C旁边的退火处罚除去应变。实践例以下，示出实践例对本发觉进4亍更周密的i兌明。本发觉并不受这些实践例任何控制。另夕卜，iE皮璃的评1^介设施如下所示。杂质剖释〉将玻璃试样消融于氢氟酸，通过ICP发射光谱法测定玻璃中所含的杂质料。〈245nrn内透过率〉从坯料切出小片，正在相对的2个面进步行光学研磨，制成厚度10mm的透射率测定用试验片。测定波长245nm下包罗反射亏损正在内的直线透射率，依据下述l式，求出试样厚度10mm内的内透过率(Ti)。反射率R关于一共试样，以4%阴谋。_1-iT《(1)此中，T显示席卷反射亏损正在内的直线透射率，R显示反射率，Ti显示内透过率。011含量遵从与245nm内透过率测定用试样肖似的设施制备试验片，测定入射光波长2.73jam和2.63(im下的透射率。操纵下述2式，阴谋出玻璃中所含的OH量(C)。ii此中，C显示OH基含量[ppm],丁2.63显示波长2.631111下的透射率，T2.73显示波长2.73pm下的透射率、t显示试样厚度[mm]。粘度系数〉从玻璃切出3mmx5mmxll0mm的试验片，正在一端固定的状况下，正在1215。C下保留10小时。由热处罚后试验片的变形量，操纵3式阴谋出粘度系数(n)。此中，ti显示粘度系数，p显示玻璃密度，g显示重力加快率、At显示保留期间、a显示试样的悬置长度、b显示试样厚度、h显示变形量。^Cu离子扩散〉从玻璃切出50mmx50mmxlmm的试验片，安置正在高纯度石英玻璃制匣钵(带盖)内。正在该匣钵中到场0.4gCuO粉末，并使其不与该试验片直接接触，盖上盖子，正在以石英玻璃管为芯管的电炉内，正在大气中，以300。C/小时的速率，从室温升温至1050°C，正在1050。C下加热24小时。将加热后的试验片用氢氟酸-硝酸搀和溶液从外面顺序消融，操纵原子罗致法剖释消融液，阴谋出深度倾向的Cu离子浓度。其余，操纵合用于半无穷固体(semi-infinitesolid)中的扩散的扩散方程式即下述4式，阴谋出扩散系数。此时，除去实习偏差大的从外面至深度20pim的区浓度的起码5个点，操纵最小二乘法，代入4式的系数，阴谋出扩散系数。其余，为了衡量出更深区域的Cu扩散手脚，使Cu从厚20mm的试验片的一侧举行扩散，举行同样评判。formulaformulaseeoriginaldocumentpage13/formula(4)此中，C显示距外面的隔断x下的浓度[ppm],Co显示初始浓度、x显示距外面的隔断[cm],D显示扩散系数[cmV秒]、t显示扩散期间[秒]、erf(z):显示偏差函数、er/f^^)显示由_^fAeV^界说的性格值。实践例1正在Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为O.Olppm以下，OH含量为40ppm,粒径为约200pm的高纯度无定形合成硅石粉末中，搀和0.1重量％的方英石粉末，正在1500。C下烧成60小时，从而获取结晶化率为约100%的方英石粉末。将所得方英石粉末正在氩气氛围下，正在输入功率590A/160V,原料供应速率4.5kg/hr的条目下，通过等离子弧举行熔融，获取玻璃坯料。对所得坯料施加HIP处罚，然后举行退火处罚除去应变。所得熔融石英玻璃中的杂质如外l中所示。其余，相关于波长245nm紫外线中所示。实践例l的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性罗致，为高纯度、高粘性的。其余，以CuO为扩散源、正在大气中举行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外面深度领先20jam至lOOpm的区域中的Cu离子浓度散布中，代入扩散方程式，阴谋出扩散系数为3.44x1(T11cm2/秒。实践例2除了熔融设施为正在氮气中的电熔融法，熔融条目为1800°C，l小时以外，遵从与实践例l肖似的设施创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。实践例2的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性罗致，为高纯度、高粘性。实践例3除了正在实践例1中操纵的无定形合成硅石粉末中，搀和以重量比计A1为lppm的氧化铝粉末，并4吏用正在与实践例l肖似条目下烧成而获取的结晶化率为约100%的方英石粉末以外，遵从与实践例l肖似的设施创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。实践例3的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性罗致，为高纯度、高粘性。其余，以CuO为扩散源，正在大气中举行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外面深度领先20nm至100iim的区域中的Cu离子浓度散布中，代入扩散方程式，阴谋出扩散系数为4.92x10_cm秒。其余，正在图3中示出更深区域的Cu离子浓度散布。如图3中所示，决断实践例3的石英玻璃的Cu离子扩散仅限于玻璃的最外面。实践例4除了等离子熔融时原料供应速率为4.0kg/hr以外，遵从与实践例3肖似的设施创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。实践例4的石英玻璃正在紫外区域和红外区域没有特异性罗致AG九游会网站，为高纯度、高粘性。比车交例1除了没有将实践例l中操纵的高纯度无定形硅石粉末方英石化而是直接操纵以外，遵从与实践例l肖似的设施创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对比例l的石英玻璃245nm的内透过率高，但含有大宗OH量，是以粘度值低。其余，以CuO为扩散源，正在大气中举行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外面深度领先20nm至100iim的区域中的Cu离子浓度散布中，代入扩散方程式，阴谋出扩散系数为1.07x10—1Vm々秒。比寿交例2除了熔融设施为真空电熔融法以外，遵从与实践例l肖似的设施创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外l和外2中所示。对比例2的石英玻璃残留0H基的浓度低，粘度系数高，但显现推定因为氧缺乏缺陷惹起的罗致峰，245nm的内透过率低。比4交例3通过氢氧火焰熔融自然硅石，创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对比例3的石英玻璃含有大宗Li、Na、K、Mg、Ca,245nm的内透过率也低。比4交例4通过等离子弧熔融自然硅石，由此创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对比例4的石英玻璃残留OH基少，高温粘性高，但含有大宗Li、Na、K、Mg、Ca,245nm的内透过率也低。其余，以CuO为扩散源，正在大气中举行1050。C、24小时的Cu离子扩散试验中，显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外面深度领先20(am至100fim的区域中的Cu离子浓度散布中，代入扩散方程式，阴谋出扩散系数为1.53x10-1°cm2/秒。其余，正在图3中示出更深区域的Cu离子浓度散布。关于对比例4的石英玻璃，Cu离子正在厚度倾向上扩散到很深处，决断将贯穿平时动作半导体热处罚用芯管厚度即5mm旁边的玻璃。比專交例5,i、0.12ppm的Na、0,05ppm的K，0,05ppm的Mg、0.22ppm的Ca、O.Olppm以下Cu的无定形合成硅石粉末以外，遵从与实践例3肖似的设施创制熔融石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对比例5的石英玻璃残留OH基少，高温粘性高，但含有大宗Li、Na、K、Mg、Ca，245nm的内透过率也4氐。比4交例6对用氩氧火焰将四氯化硅加热水解而变成的众孔石英玻璃体(烟尘体)，正在还原氛围中加热处罚，然后烧结，从而创制石英玻璃，杂质、内透过率、粘度系数如外1和外2中所示。对比例6的石英玻璃残留OH基少，纯度高，但245nm的内透过率低，推定出现了氧缺乏缺陷。其余，因为创制工序繁瑣，所得石英玻璃的本钱非凡高。实践例5~8除了转移氧化铝的增添量以外，遵从与实践例l肖似的设施创制玻璃，0H含量和粘度系数如外3所示(实践例l没有增添氧化铝)。通过增添氧化铝，粘性值上升，决断Al含量为2ppm旁边则粘度值饱和。其余，关于实践例8的玻璃，以CuO为扩散源，正在大气中举行105(TC、24小时的Cu离子扩散试验，显示出如图2中所示的浓度散布。正在距外面深度领先20nm至100(im的区域中的Cu离子浓度散布中，代入扩散方程式，阴谋出扩散系数为1.50x10—;2/秒。外l16tabletableseeoriginaldocumentpage17/column/rowtable物业上的可诈骗性本发觉的熔融石英玻璃因为正在紫外~可睹~红外区域根本没有特异性罗致，是以适适用作愿望高透射率的百般光学原料，越发可能用作蚀刻尽头检测等的窗口原料。其余，本发觉的熔融石英玻璃因为高纯度、高温粘性优异且Cu等金属杂质的扩散半导体创制安装用部件或MEMS创制安装用夹具等，还适适用作紫外线用透镜和灯、液晶用玻璃基板等权益哀求1.一种熔融石英玻璃，其特点正在于，关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为95％以上，且OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏折0.1ppm。2.依据权益哀求l所述的熔融石英玻璃，其特点正在于，关于波长245nm的紫外光，10mm厚度时的内透过率为98%以上。3.依据权益哀求1或2所述的熔融石英玻璃，其特点正在于，1215°C下的粘度系数为1()USpa.s以上。4.依据权益哀求1或2所述的熔融石英玻璃，其特点正在于，含有以重量比计为3ppm以下的Al,1215°C下的粘度系数为10Gpas以上。5.依据权益哀求l~4中肆意一项所述的熔融石英玻璃，其特点正在于，1050°C下正在大气中安置24小时常的铜离子的热扩散中，正在距外面的深度领先20jim起至100^im的区域中的Cu离子的扩散系数为1x1(Tcm秒以下。6.—种权益哀求l~5中肆意一项所述的熔融石英玻璃的创制设施，其特点正在于，将原料硅石粉末方英石化后正在非还原性氛围中熔融。7.依据权益哀求6所述的熔融石英玻璃的创制设施，其特点正在于，通过等离子弧熔融法正在非还原性氛围中举行熔融。8.—种半导体创制安装用部件，其特点正在于，由权益哀求1~5中肆意一项所述的熔融石英玻璃变成。9.一种液晶创制安装用部件，其特点正在于，包罗权益哀求1~5中肆意一项所述的熔融石英玻璃。全文摘要一种熔融石英玻璃，其关于波长245nm的紫外光，正在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为亏折0.1ppm。优选该熔融石英玻璃正在1215℃下的粘度系数为10sup11.5/supPa·s以上，其它，1050℃下正在大气中安置24小时的、正在距外面的深度领先20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10sup-10/supcmsup2/sup/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后正在非还原性氛围中熔融而创制。该熔融石英玻璃具有紫外线、可睹光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速率小的性格，适合动作百般光学原料、半导体创制用部件、液晶创制用部件等。文档编号C03B20/00GK101511744SQ公然日2009年8月19日申请日期2007年9月11日优先权日2006年9月11日发觉者内田雅人,原田良习,堀越秀春,山田修辅,新井一喜,桥本真吉,高畑努申请人:东曹株式会社;东曹Sgm株式会社

　　本领研发职员：新井一喜;高畑努;桥本真吉;内田雅人;山田修辅;原田良习;堀越秀春

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